SIR638DP-T1-RE3
Số Phần:
SIR638DP-T1-RE3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO
Số lượng cổ phiếu:
53452 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
SIR638DP-T1-RE3.pdf

Giới thiệu

SIR638DP-T1-RE3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SIR638DP-T1-RE3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SIR638DP-T1-RE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SIR638DP-T1-RE3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Tối đa):+20V, -16V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PowerPAK® SO-8
Loạt:TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, VGS:0.88 mOhm @ 20A, 10V
Điện cực phân tán (Max):104W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:PowerPAK® SO-8
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:10500pF @ 20V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:204nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
miêu tả cụ thể:N-Channel 40V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận