SI5920DC-T1-E3
SI5920DC-T1-E3
Số Phần:
SI5920DC-T1-E3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
58679 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
SI5920DC-T1-E3.pdf

Giới thiệu

SI5920DC-T1-E3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SI5920DC-T1-E3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI5920DC-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI5920DC-T1-E3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:1206-8 ChipFET™
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power - Max:3.12W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SMD, Flat Lead
Vài cái tên khác:SI5920DC-T1-E3TR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:680pF @ 4V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 5V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Xả để nguồn điện áp (Vdss):8V
miêu tả cụ thể:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A
Số phần cơ sở:SI5920
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận

Latest Tin tức