SI1958DH-T1-E3
Số Phần:
SI1958DH-T1-E3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
30603 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
SI1958DH-T1-E3.pdf

Giới thiệu

SI1958DH-T1-E3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SI1958DH-T1-E3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI1958DH-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI1958DH-T1-E3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.6V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-70-6 (SOT-363)
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:205 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power - Max:1.25W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vài cái tên khác:SI1958DH-T1-E3TR
SI1958DHT1E3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:105pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:3.8nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
miêu tả cụ thể:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.3A
Số phần cơ sở:SI1958
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận

Latest Tin tức