RH73H2B50MMTN hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho RH73H2B50MMTN, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RH73H2B50MMTN qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RH73H2B50MMTN với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
RH73H2B50MMTN
- Số Phần:
- RH73H2B50MMTN
- nhà chế tạo:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Sự miêu tả:
- RES SMD 50M OHM 20% 1/4W 1206
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 22780 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- 1.RH73H2B50MMTN.pdf2.RH73H2B50MMTN.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Điện áp Rating - AC: | - |
| Voltage - Làm việc: | 0.25W, 1/4W |
| Voltage - Breakdown: | 1206 |
| Độ dày (Max): | ±100ppm/°C |
| Size / Kích thước: | 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm) |
| Loạt: | RH73, CGS |
| Tình trạng RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| sự phân cực: | 1206 (3216 Metric) |
| Vài cái tên khác: | 1625857-4 1625857-4-ND |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 125°C |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 14 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | RH73H2B50MMTN |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.020" (0.50mm) |
| Tính năng: | - |
| FIFO của: | 2 |
| Mô tả mở rộng: | 50M Ohm ±20% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Thick Film |
| ESR (tương đương Series kháng): | ±20% |
| Sự miêu tả: | RES SMD 50M OHM 20% 1/4W 1206 |
| Đục, Loại Nhà ở: | Thick Film |
| băng thông: | 50M |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho RH73H2B50MMTN
Latest Tin tức
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC
- Moels Micro Electronics đã thành lập một văn phòng mới ở Đài Loan, Trung Quốc để mở rộng lãnh thổ kinh doanh
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới