RD3T075CNTL1
RD3T075CNTL1
Số Phần:
RD3T075CNTL1
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
NCH 200V 7.5A POWER MOSFET
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
38092 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
RD3T075CNTL1.pdf

Giới thiệu

RD3T075CNTL1 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho RD3T075CNTL1, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho RD3T075CNTL1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua RD3T075CNTL1 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5.25V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:325 mOhm @ 3.75A, 10V
Điện cực phân tán (Max):52W (Tc)
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:RD3T075CNTL1CT
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:13 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:755pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
miêu tả cụ thể:N-Channel 200V 7.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:7.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận