MT45W8MW16BGX-701 WT TR hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho MT45W8MW16BGX-701 WT TR, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MT45W8MW16BGX-701 WT TR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MT45W8MW16BGX-701 WT TR với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
MT45W8MW16BGX-701 WT TR
- Số Phần:
- MT45W8MW16BGX-701 WT TR
- nhà chế tạo:
- Micron Technology
- Sự miêu tả:
- IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 22748 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- MT45W8MW16BGX-701 WT TR.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang: | 70ns |
| Voltage - Cung cấp: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Công nghệ: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 54-VFBGA (8x10) |
| Loạt: | - |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 54-VFBGA |
| Vài cái tên khác: | MT45W8MW16BGX-701 WT TR-ND MT45W8MW16BGX-701WTTR |
| Nhiệt độ hoạt động: | -30°C ~ 85°C (TC) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Loại bộ nhớ: | Volatile |
| Kích thước bộ nhớ: | 128Mb (8M x 16) |
| Giao diện bộ nhớ: | Parallel |
| Định dạng bộ nhớ: | PSRAM |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| miêu tả cụ thể: | PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 104MHz 70ns 54-VFBGA (8x10) |
| Tần số đồng hồ: | 104MHz |
| Số phần cơ sở: | MT45W8MW16 |
| Thời gian truy cập: | 70ns |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho MT45W8MW16BGX-701 WT TR
Latest Tin tức
- Qorvo đã ra mắt sơ bộ 5G mmimo nổi bật của ngành công nghiệp
- Hàng tồn kho chu kỳ mô phỏng chạm đáy, AI điều khiển nhu cầu bộ nhớ flash tiếp tục
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC