LQH3NPZ1R5MGRL hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho LQH3NPZ1R5MGRL, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho LQH3NPZ1R5MGRL qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua LQH3NPZ1R5MGRL với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
LQH3NPZ1R5MGRL
- Số Phần:
- LQH3NPZ1R5MGRL
- nhà chế tạo:
- Murata Electronics
- Sự miêu tả:
- FIXED IND 1.5UH 2.04A 88.8 MOHM
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 41259 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- 1.LQH3NPZ1R5MGRL.pdf2.LQH3NPZ1R5MGRL.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Voltage - Breakdown: | 1212 (3030 Metric) |
| Sử dụng: | Shielded |
| Kiểu: | Wirewound |
| Size / Kích thước: | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| Loạt: | LQH3 |
| Tình trạng RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| xếp hạng: | AEC-Q200 |
| sự phân cực: | 1212 (3030 Metric) |
| Vài cái tên khác: | 490-15959-2 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 85°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 9 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | LQH3NPZ1R5MGRL |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Loại phần cứng: | 1.5µH |
| Tần số - Kiểm tra: | 80MHz |
| Tần số - Tự Resonant: | 88.8 mOhm Max |
| Mô tả mở rộng: | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 2.04A 88.8 mOhm Max 1212 (3030 Metric) |
| ESR (tương đương Series kháng): | ±20% |
| Sự miêu tả: | FIXED IND 1.5UH 2.04A 88.8 MOHM |
| Thời gian trì hoãn: | 1MHz |
| DC Resistance (DCR): | 1.4A |
| Đánh giá hiện tại: | 2.04A |
| Hiện tại - Saturation: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho LQH3NPZ1R5MGRL
Latest Tin tức
- Qorvo đã ra mắt sơ bộ 5G mmimo nổi bật của ngành công nghiệp
- Hàng tồn kho chu kỳ mô phỏng chạm đáy, AI điều khiển nhu cầu bộ nhớ flash tiếp tục
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC