IXTD3N50P-2J
Số Phần:
IXTD3N50P-2J
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 500
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
26504 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
IXTD3N50P-2J.pdf

Giới thiệu

IXTD3N50P-2J hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho IXTD3N50P-2J, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXTD3N50P-2J qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXTD3N50P-2J với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 50µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:Die
Loạt:PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 1.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):70W (Tc)
Gói / Case:Die
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:409pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):500V
miêu tả cụ thể:N-Channel 500V 3A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount Die
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận