IRF6709S2TRPBF
IRF6709S2TRPBF
Số Phần:
IRF6709S2TRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
28831 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
IRF6709S2TRPBF.pdf

Giới thiệu

IRF6709S2TRPBF hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho IRF6709S2TRPBF, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF6709S2TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF6709S2TRPBF với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DIRECTFET S1
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:7.8 mOhm @ 12A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.8W (Ta), 21W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DirectFET™ Isometric S1
Vài cái tên khác:SP001530266
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1010pF @ 13V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):25V
miêu tả cụ thể:N-Channel 25V 12A (Ta), 39A (Tc) 1.8W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 39A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận