G6RL-1A-ASI DC3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho G6RL-1A-ASI DC3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho G6RL-1A-ASI DC3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua G6RL-1A-ASI DC3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
G6RL-1A-ASI DC3
- Số Phần:
- G6RL-1A-ASI DC3
- nhà chế tạo:
- Omron
- Sự miêu tả:
- RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 3V
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 32451 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- G6RL-1A-ASI DC3.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Voltage - DC Spark Over (chữ Nôm): | Silver Tin Indium (AgSnIn) |
| Bật điện áp (Max): | 400VAC, 300VDC - Max |
| Tắt điện áp (Min): | 2.1 VDC |
| Thời gian Phương pháp điều chỉnh: | General Purpose |
| Chấm dứt Phong cách: | PC Pin |
| Voltage switching: | 10A |
| Các bước mỗi cuộc cách mạng: | Non Latching |
| Loạt: | G6RL |
| Rotor Inertia: | 40 Ohms |
| Tình trạng RoHS: | Bulk |
| Thời gian phát hành: | 10ms |
| Vài cái tên khác: | G6RL1AASIDC3 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 85°C |
| hoạt động Thời gian: | 0.3 VDC |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 10 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | G6RL-1A-ASI DC3 |
| tải hiện tại: | 220 mW |
| Tính năng: | Sealed - Flux Protection |
| Mô tả mở rộng: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 3VDC Coil Through Hole |
| Sự miêu tả: | RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 3V |
| Liên hệ Đánh giá (hiện tại): | 3VDC |
| Coil áp: | 73.3mA |
| Coil điện: | 5ms |
| Khoảng cách Backset: | SPST-NO (1 Form A) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho G6RL-1A-ASI DC3
Latest Tin tức
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC
- Moels Micro Electronics đã thành lập một văn phòng mới ở Đài Loan, Trung Quốc để mở rộng lãnh thổ kinh doanh
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới