F3L400R07ME4B23BOSA1 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho F3L400R07ME4B23BOSA1, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho F3L400R07ME4B23BOSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua F3L400R07ME4B23BOSA1 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
F3L400R07ME4B23BOSA1
- Số Phần:
- F3L400R07ME4B23BOSA1
- nhà chế tạo:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Sự miêu tả:
- IGBT MODULE VCES 650V 400A
- Số lượng cổ phiếu:
- 24201 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- F3L400R07ME4B23BOSA1.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
| VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic: | 1.95V @ 15V, 400A |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | Module |
| Loạt: | - |
| Power - Max: | 1150W |
| Gói / Case: | Module |
| Vài cái tên khác: | F3L400R07ME4_B23 F3L400R07ME4_B23-ND SP000893970 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 150°C |
| NTC Thermistor: | Yes |
| gắn Loại: | Chassis Mount |
| Input Điện dung (Cies) @ VCE: | 26nF @ 25V |
| Đầu vào: | Standard |
| Loại IGBT: | Trench Field Stop |
| miêu tả cụ thể: | IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 650V 450A 1150W Chassis Mount Module |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 450A |
| Cấu hình: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho F3L400R07ME4B23BOSA1
Latest Tin tức
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC
- Moels Micro Electronics đã thành lập một văn phòng mới ở Đài Loan, Trung Quốc để mở rộng lãnh thổ kinh doanh
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Báo cáo tài chính quý đầu tiên của bộ bán dẫn SEF (ST) giảm và nhu cầu về ô tô đã làm chậm
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Khối lượng chip trưởng thành cục bộ, công suất sản xuất bộ nhớ flash samsung nand gần tải