CRCW121030K1FKTB hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho CRCW121030K1FKTB, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CRCW121030K1FKTB qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CRCW121030K1FKTB với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
CRCW121030K1FKTB
- Số Phần:
- CRCW121030K1FKTB
- nhà chế tạo:
- Dale / Vishay
- Sự miêu tả:
- RES SMD 30.1K OHM 1% 1/2W 1210
- Tình trạng không có chì:
- Chứa chì / RoHS không tuân thủ
- Số lượng cổ phiếu:
- 24020 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- CRCW121030K1FKTB.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Lòng khoan dung: | ±1% |
| Hệ số nhiệt độ: | ±100ppm/°C |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 1210 |
| Size / Kích thước: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Loạt: | CRCW |
| bảng điều chỉnh chế độ: | 30.1 kOhms |
| Power (Watts): | 0.5W, 1/2W |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 1210 (3225 Metric) |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 155°C |
| Số ĐẦU CẮM: | 2 |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.024" (0.60mm) |
| Tính năng: | Automotive AEC-Q200 |
| Tỷ lệ thất bại: | - |
| miêu tả cụ thể: | 30.1 kOhms ±1% 0.5W, 1/2W Chip Resistor 1210 (3225 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film |
| Thành phần: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho CRCW121030K1FKTB
Latest Tin tức
- Kế hoạch của Micron để xây dựng một nhà máy, bộ nhớ flash NAND với giá cao hoặc bảo trì
- Hiệu suất ADI bị giảm, chất nền đồng đã tăng lên, lưu trữ nhà máy gốc tăng sản xuất bảo thủ
- Làn sóng thông minh trong xe đang đến, và Aimus Oslang đã giúp Sagita Juguang giải phóng MX Lidar
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC
- Moels Micro Electronics đã thành lập một văn phòng mới ở Đài Loan, Trung Quốc để mở rộng lãnh thổ kinh doanh
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới