BSC082N10LSGATMA1
BSC082N10LSGATMA1
Số Phần:
BSC082N10LSGATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
44278 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
BSC082N10LSGATMA1.pdf

Giới thiệu

BSC082N10LSGATMA1 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho BSC082N10LSGATMA1, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSC082N10LSGATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSC082N10LSGATMA1 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 110µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TDSON-8
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:8.2 mOhm @ 100A, 10V
Điện cực phân tán (Max):156W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:BSC082N10LS G
BSC082N10LS G-ND
BSC082N10LS GTR-ND
BSC082N10LSG
BSC082N10LSGATMA1TR
SP000379609
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:7400pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:104nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
miêu tả cụ thể:N-Channel 100V 13.8A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:13.8A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận