AS4C8M16D1-5TIN hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho AS4C8M16D1-5TIN, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho AS4C8M16D1-5TIN qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua AS4C8M16D1-5TIN với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
AS4C8M16D1-5TIN
- Số Phần:
- AS4C8M16D1-5TIN
- nhà chế tạo:
- Alliance Memory, Inc.
- Sự miêu tả:
- IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 51788 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- AS4C8M16D1-5TIN.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang: | 15ns |
| Voltage - Cung cấp: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Công nghệ: | SDRAM - DDR |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 66-TSOP II |
| Loạt: | - |
| Bao bì: | Tray |
| Gói / Case: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Vài cái tên khác: | 1450-1160-5 AS4C8M16D1-5TIN-ND |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Loại bộ nhớ: | Volatile |
| Kích thước bộ nhớ: | 128Mb (8M x 16) |
| Giao diện bộ nhớ: | Parallel |
| Định dạng bộ nhớ: | DRAM |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| miêu tả cụ thể: | SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II |
| Tần số đồng hồ: | 200MHz |
| Thời gian truy cập: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho AS4C8M16D1-5TIN
Latest Tin tức
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC
- Moels Micro Electronics đã thành lập một văn phòng mới ở Đài Loan, Trung Quốc để mở rộng lãnh thổ kinh doanh
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Báo cáo tài chính quý đầu tiên của bộ bán dẫn SEF (ST) giảm và nhu cầu về ô tô đã làm chậm
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Khối lượng chip trưởng thành cục bộ, công suất sản xuất bộ nhớ flash samsung nand gần tải
- Vishay ra mắt bao bì Miniled độ sáng cao Đèn LED nhỏ màu xanh và màu xanh lá cây tinh khiết
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ