SQJ474EP-T1_GE3
SQJ474EP-T1_GE3
Parça Numarası:
SQJ474EP-T1_GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET N-CH 100V 26A POWERPAKSO
Kurşunsuz Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Stok miktarı:
22519 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Teslim süresi:
4-8 weeks
Veri Sayfası:
SQJ474EP-T1_GE3.pdf

Giriş

SQJ474EP-T1_GE3 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, SQJ474EP-T1_GE3 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize SQJ474EP-T1_GE3 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
SQJ474EP-T1_GE3 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]

Özellikler

Şart New & Original, tested
Menşei ülke Contact us
İşaretleme kodu Send by email
Id @ Vgs (th) (Max):2.5V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® SO-8
Dizi:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):30 mOhm @ 10A, 10V
Güç Tüketimi (Max):45W (Tc)
paketleme:Original-Reel®
Paket / Kutu:PowerPAK® SO-8
Diğer isimler:SQJ474EP-T1_GE3DKR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 175°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:30nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):4.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):100V
Detaylı Açıklama:N-Channel 100V 26A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):26A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar