FQB6N60CTM
FQB6N60CTM
Parça Numarası:
FQB6N60CTM
Üretici firma:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Açıklama:
MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
Kurşunsuz Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Stok miktarı:
48479 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Teslim süresi:
4-8 weeks
Veri Sayfası:
FQB6N60CTM.pdf

Giriş

FQB6N60CTM şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, FQB6N60CTM için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize FQB6N60CTM için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
FQB6N60CTM LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]

Özellikler

Şart New & Original, tested
Menşei ülke Contact us
İşaretleme kodu Send by email
Id @ Vgs (th) (Max):4V @ 250µA
Vgs (Maks.):±30V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:D²PAK (TO-263AB)
Dizi:QFET®
Id, VGS @ rds On (Max):2 Ohm @ 2.75A, 10V
Güç Tüketimi (Max):125W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:20nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):600V
Detaylı Açıklama:N-Channel 600V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):5.5A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar