ZXTP2008ZTA พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ZXTP2008ZTA เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ZXTP2008ZTA ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ZXTP2008ZTA ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ZXTP2008ZTA
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ZXTP2008ZTA
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- TRANS PNP 30V 5.5A SOT89
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยตะกั่ว / RoHS Compliant
- ปริมาณสต็อค:
- 58327 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ZXTP2008ZTA.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 30V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 175mV @ 500mA, 5.5A |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | PNP |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-89-3 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 2.1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-243AA |
| ชื่ออื่น: | ZXTP2008ZDKR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 110MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5.5A 110MHz 2.1W Surface Mount SOT-89-3 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 100 @ 1A, 1V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 20nA (ICBO) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 5.5A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ZXTP2008 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ZXTP2008ZTA
ข่าว Latest
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ