Y5076V0003VV0L พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ Y5076V0003VV0L เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ Y5076V0003VV0L ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ Y5076V0003VV0L ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
Y5076V0003VV0L
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- Y5076V0003VV0L
- ผู้ผลิต:
- Vishay Precision Group
- ลักษณะ:
- RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 20223 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- Y5076V0003VV0L.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±0.005% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±2ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.398" L x 0.185" W (10.11mm x 4.70mm) |
| ชุด: | VHD200 |
| ต้านทานอัตราส่วน-ดริฟท์: | ±0.1 ppm/°C |
| อัตราส่วนการจับคู่ตัวต้านทาน: | ±0.005% |
| ต้านทาน (โอห์ม): | 1k, 9k |
| อำนาจต่อธาตุ: | 50mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial - 3 Leads |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| จำนวนตัวต้านทาน: | 2 |
| จำนวนพิน: | 3 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 21 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.525" (13.33mm) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1k, 9k Ohm ±0.005% 50mW Power Per Element Voltage Divider 2 Resistor Network/Array ±2ppm/°C Radial - 3 Leads |
| ประเภทแผงวงจร: | Voltage Divider |
| การประยุกต์ใช้งาน: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ Y5076V0003VV0L
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง