Y408310K0000T9R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ Y408310K0000T9R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ Y408310K0000T9R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ Y408310K0000T9R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
Y408310K0000T9R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- Y408310K0000T9R
- ผู้ผลิต:
- Vishay Precision Group
- ลักษณะ:
- FRSG1206 10K000 TCR2.5 0.01% S T
- ปริมาณสต็อค:
- 41159 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- Y408310K0000T9R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±0.01% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±2.5ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 1206 |
| ขนาด / มิติ: | 0.126" L x 0.062" W (3.20mm x 1.57mm) |
| ชุด: | FRSG |
| โหมดแผง: | 10 kOhms |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 0.3W |
| บรรจุภัณฑ์: | Strip |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 1206 (3216 Metric) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 225°C |
| จำนวนการยกเลิก: | 2 |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.025" (0.64mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Non-Inductive |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 10 kOhms ±0.01% 0.3W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Non-Inductive Metal Foil |
| ส่วนประกอบ: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ Y408310K0000T9R
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด