Y40611K00000Q0W พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ Y40611K00000Q0W เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ Y40611K00000Q0W ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ Y40611K00000Q0W ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
Y40611K00000Q0W
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- Y40611K00000Q0W
- ผู้ผลิต:
- ลักษณะ:
- RES SMD 1K OHM 0.02% 0.12W 0603
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 33288 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- Y40611K00000Q0W.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.12W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 0603 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±2.5ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) |
| ชุด: | FRSH |
| สถานะ RoHS: | Tray - Waffle |
| โพลาไรซ์: | 0603 (1608 Metric) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 225°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | Y40611K00000Q0W |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.025" (0.64mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 1k Ohm ±0.02% 0.12W Chip Resistor 0603 (1608 Metric) Moisture Resistant, Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.02% |
| ลักษณะ: | RES SMD 1K OHM 0.02% 0.12W 0603 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Metal Foil |
| แบนด์วิดธ์: | 1k |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ Y40611K00000Q0W
ข่าว Latest
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ