Y1627576R000D13W พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ Y1627576R000D13W เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ Y1627576R000D13W ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ Y1627576R000D13W ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
Y1627576R000D13W
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- Y1627576R000D13W
- ผู้ผลิต:
- ลักษณะ:
- RES SMD 576 OHM 0.5% 1/2W 2010
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34545 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- Y1627576R000D13W.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.5W, 1/2W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 2010 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±0.2ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.198" L x 0.097" W (5.03mm x 2.46mm) |
| ชุด: | VSMP |
| สถานะ RoHS: | Tray - Waffle |
| โพลาไรซ์: | 2010 (5025 Metric) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | Y1627576R000D13W |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.025" (0.64mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 576 Ohm ±0.5% 0.5W, 1/2W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Moisture Resistant, Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.5% |
| ลักษณะ: | RES SMD 576 OHM 0.5% 1/2W 2010 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Metal Foil |
| แบนด์วิดธ์: | 576 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ Y1627576R000D13W
ข่าว Latest
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ