Y16261K20000Q13R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ Y16261K20000Q13R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ Y16261K20000Q13R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ Y16261K20000Q13R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
Y16261K20000Q13R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- Y16261K20000Q13R
- ผู้ผลิต:
- ลักษณะ:
- RES SMD 1.2K OHM 0.02% 0.3W 1506
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48933 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- Y16261K20000Q13R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.3W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 1506 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±0.2ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.150" L x 0.062" W (3.81mm x 1.57mm) |
| ชุด: | VSMP |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 1506 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | Y16261K20000Q13R |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.025" (0.64mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 1.2k Ohm ±0.02% 0.3W Chip Resistor 1506 Moisture Resistant, Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.02% |
| ลักษณะ: | RES SMD 1.2K OHM 0.02% 0.3W 1506 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Metal Foil |
| แบนด์วิดธ์: | 1.2k |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ Y16261K20000Q13R
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS