Y00891K47000VR13L พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ Y00891K47000VR13L เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ Y00891K47000VR13L ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ Y00891K47000VR13L ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
Y00891K47000VR13L
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- Y00891K47000VR13L
- ผู้ผลิต:
- ลักษณะ:
- RES 1.47K OHM 0.6W 0.005% RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 39760 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- Y00891K47000VR13L.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.6W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | - |
| ความหนา (สูงสุด): | ±5ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.300" L x 0.105" W (7.62mm x 2.67mm) |
| ชุด: | RNC90Y |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| โพลาไรซ์: | Radial |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | Y00891K47000VR13L |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.336" (8.53mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 1.47k Ohm ±0.005% 0.6W Through Hole Resistor Radial Moisture Resistant, Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.005% |
| ลักษณะ: | RES 1.47K OHM 0.6W 0.005% RADIAL |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Metal Foil |
| แบนด์วิดธ์: | 1.47k |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ Y00891K47000VR13L
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร