XRCGB27M120F0Z00R0 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ XRCGB27M120F0Z00R0 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ XRCGB27M120F0Z00R0 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ XRCGB27M120F0Z00R0 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
XRCGB27M120F0Z00R0
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- XRCGB27M120F0Z00R0
- ผู้ผลิต:
- Murata Electronics
- ลักษณะ:
- CRYSTAL 27.12MHZ 100PPM (TOL) 10
- ปริมาณสต็อค:
- 28044 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | MHz Crystal |
| ขนาด / มิติ: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| ชุด: | XRCGB |
| ความนิยม: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, No Lead |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C |
| โหมดการทำงาน: | Fundamental |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| ความจุโหลด: | 6pF |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.028" (0.70mm) |
| ความอดทนความถี่: | ±100ppm |
| ความเสถียรของความถี่: | ±100ppm |
| ความถี่: | 27.12MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 27.12MHz ±100ppm Crystal 6pF 4-SMD, No Lead |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ XRCGB27M120F0Z00R0
ข่าว Latest
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่