XE169FH200F100LABKXQSA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ XE169FH200F100LABKXQSA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ XE169FH200F100LABKXQSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ XE169FH200F100LABKXQSA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
XE169FH200F100LABKXQSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- XE169FH200F100LABKXQSA1
- ลักษณะ:
- IC MCU 16BIT 1.6MB FLASH 176LQFP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 53568 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- XE169FH200F100LABKXQSA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 3 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-LQFP-176-12 |
| ความเร็ว: | 100MHz |
| ชุด: | XE16xxH |
| RAM ขนาด: | 112K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | FLASH |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 1.6MB (1.6M x 8) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | I²S, POR, PWM, WDT |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 176-LQFP Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | SP000966482 |
| ประเภท oscillator: | Internal |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 118 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ขนาด EEPROM: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | C166SV2 XE16xxH Microcontroller IC 16-Bit 100MHz 1.6MB (1.6M x 8) FLASH PG-LQFP-176-12 |
| แปลงข้อมูล: | A/D 30x10b |
| ขนาดหลัก: | 16-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | C166SV2 |
| การเชื่อมต่อ: | CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ XE169FH200F100LABKXQSA1
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่