XC17S10VO8I พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ XC17S10VO8I เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ XC17S10VO8I ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ XC17S10VO8I ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
XC17S10VO8I
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- XC17S10VO8I
- ผู้ผลิต:
- Xilinx
- ลักษณะ:
- IC PROM SER 10K 8-SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28551 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- XC17S10VO8I.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-TSOP |
| ชุด: | - |
| ตั้งโปรแกรมประเภท: | OTP |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 100kb |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | XC17S10 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ XC17S10VO8I
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
XC17S10PD8I | Xilinx | IC PROM PROG I-TEMP 3.3V 8-DIP | การสอบสวน |
|
XC17S100AVO8C | Xilinx | IC PROM SER 10K 8-SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S100APD8C | Xilinx | IC PROM SER 100000 C-TEMP 8-DIP | การสอบสวน |
|
XC17S100ASO20I | Xilinx | IC PROM SER 100000 I-TEMP 20SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S10XLPD8C | Xilinx | IC PROM PROG C-TEMP 3.3V 8-DIP | การสอบสวน |
|
XC17S150APD8I | Xilinx | IC PROM SER 150000 I-TEMP 8-DIP | การสอบสวน |
|
XC17S10XLPDG8C | Xilinx | IC PROM PROG C-TEMP 3.3V 8-DIP | การสอบสวน |
|
XC17S10XLPD8I | Xilinx | IC PROM PROG I-TEMP 3.3V 8-DIP | การสอบสวน |
|
XC17S10VO8C | Xilinx | IC PROM SER 10K 8-SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S10XLVOG8C | Xilinx | IC PROM SERIEAL 10K 8-SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S150APD8C | Xilinx | IC PROM SER 150000 C-TEMP 8-DIP | การสอบสวน |
|
XC17S100ASO20C | Xilinx | IC PROM SER 100000 C-TEMP 20SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S10XLVO8I | Xilinx | IC 3V PROM SER 10K 8-SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S100AVOG8C | Xilinx | IC PROM SERIAL 100K 8-SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S10XLVOG8I | Xilinx | IC PROM SERIEAL 10K 8-SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S10PD8C | Xilinx | IC PROM PROG C-TEMP 3.3V 8-DIP | การสอบสวน |
|
XC17S100APD8I | Xilinx | IC PROM SER 100000 I-TEMP 8-DIP | การสอบสวน |
|
XC17S100AVO8I | Xilinx | IC PROM SER 10K 8-SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S10VOG8C | Xilinx | IC PROM SERIAL 10K 8-SOIC | การสอบสวน |
|
XC17S10XLVO8C | Xilinx | IC 3V PROM SER 10K 8-SOIC | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS