WSE2S-2P3230 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ WSE2S-2P3230 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ WSE2S-2P3230 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ WSE2S-2P3230 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
WSE2S-2P3230
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- WSE2S-2P3230
- ผู้ผลิต:
- SICK
- ลักษณะ:
- SEN PHOTO PNP 200MM M8
- ปริมาณสต็อค:
- 44707 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- WSE2S-2P3230.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 10 V ~ 30 V |
| ชุด: | W2S-2 |
| วิธีการตรวจจับ: | Through-Beam |
| ระยะทางที่ไกล: | 98.425" (2.5m) |
| เวลาตอบสนอง: | 400µs |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | PNP |
| ชื่ออื่น: | 1063650 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 50°C (TA) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 3 Weeks |
| แหล่งกำเนิดแสง: | Red (640nm) |
| ป้องกันน้ำและฝุ่น: | IP67 |
| วิธีการเชื่อมต่อ: | Cable with Connector |
| ความยาวสายเคเบิล: | 7.87" (200mm) |
| ประเภทการปรับ: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ WSE2S-2P3230
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
WSE2S-2N1130 | SICK | SEN PHOTO NPN 2M | การสอบสวน |
|
WSE4-3N1330 | SICK | NPN CBL LO | การสอบสวน |
|
WSE2S-2P1330 | SICK | SEN PHOTO PNP LO 2M CBL | การสอบสวน |
|
WSE4-3F3130 | SICK | PNP 3P M8 PGTL DO | การสอบสวน |
|
WSE4-3F2131 | SICK | PNP DO M8 3PIN PGTL W/POT | การสอบสวน |
|
WSE4-3F3130F20 | SICK | PNP DO M8 3-PIN CBL | การสอบสวน |
|
WSE27-3R2631 | SICK | UC RED 6PIN POT TIMING | การสอบสวน |
|
WSE2S-2F1330 | SICK | SEN PHOTO PNP DO 2M CBL | การสอบสวน |
|
WSE4-3E1330 | SICK | NPN CBL DO | การสอบสวน |
|
WSE27X-3P1830 | SICK | PNP CBL EX METAL ENC. | การสอบสวน |
|
WSE4-3F3430 | SICK | PNP RED M12 PIGTL DARK | การสอบสวน |
|
WSE2S-2P3130 | SICK | SEN PHOTO PNP LO 200MM M8 | การสอบสวน |
|
WSE4-3F1330 | SICK | PNP CBL DO | การสอบสวน |
|
WSE2S-2E1330 | SICK | SEN PHOTO NPN DO 2M CBL | การสอบสวน |
|
WSE4-3E3130 | SICK | NPN 3P M8 PGTL DO | การสอบสวน |
|
WSE4-3F2130 | SICK | PNP 3PIN M8 DO | การสอบสวน |
|
WSE2S-2E3130 | SICK | SEN PHOTO NPN DO 200MM M8 | การสอบสวน |
|
WSE2S-2N1330 | SICK | SEN PHOTO NPN LO 2M CBL | การสอบสวน |
|
WSE2S-2F3130 | SICK | SEN PHOTO PNP DO 200MM M8 | การสอบสวน |
|
WSE4-3E2130 | SICK | NPN 3PIN M8 DO | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด