VWRBS1-D12-S12-SIP พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VWRBS1-D12-S12-SIP เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VWRBS1-D12-S12-SIP ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VWRBS1-D12-S12-SIP ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VWRBS1-D12-S12-SIP
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VWRBS1-D12-S12-SIP
- ผู้ผลิต:
- CUI, Inc.
- ลักษณะ:
- DC DC CONVERTER 12V 1W
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ไม่สามารถใช้งานได้ / ไม่สามารถใช้งานได้
- ปริมาณสต็อค:
- 20593 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VWRBS1-D12-S12-SIP.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ออกที่ 3: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ออก 2: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ออกที่ 1: | 12V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 1.5kV |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - (ต่ำสุด): | 9V |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 18V |
| ชนิด: | Isolated Module |
| ขนาด / มิติ: | 0.87" L x 0.37" W x 0.47" H (22.0mm x 9.5mm x 12.0mm) |
| ชุด: | VWRBS1-SIP |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SIP Module, 7 Leads |
| ชื่ออื่น: | VWRBS1D12S12SIP |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนขาออก: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Not applicable / Not applicable |
| คุณลักษณะเด่น: | SCP |
| อย่างมีประสิทธิภาพ: | 77% |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 12V 84mA 9V - 18V Input |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | 84mA |
| การประยุกต์ใช้งาน: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VWRBS1-D12-S12-SIP
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU