VS-GB75TP120N พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VS-GB75TP120N เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VS-GB75TP120N ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VS-GB75TP120N ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VS-GB75TP120N
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VS-GB75TP120N
- ผู้ผลิต:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- ลักษณะ:
- IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59601 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VS-GB75TP120N.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 1200V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2.35V @ 15V, 75A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | INT-A-PAK |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 543W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | INT-A-PAK (3 + 4) |
| ชื่ออื่น: | VSGB75TP120N |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
| กทช Thermistor: | No |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 37 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE: | 5.52nF @ 25V |
| อินพุต: | Standard |
| ประเภท IGBT: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 543W Chassis Mount INT-A-PAK |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 5mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 150A |
| องค์ประกอบ: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VS-GB75TP120N
ข่าว Latest
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่