VS-12FR100 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VS-12FR100 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VS-12FR100 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VS-12FR100 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VS-12FR100
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VS-12FR100
- ผู้ผลิต:
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 43319 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VS-12FR100.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 12A |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | DO-203AA |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ต้านทาน @ ถ้า F: | - |
| โพลาไรซ์: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ชื่ออื่น: | *12FR100 12FR100 12FR100IR VS-12FR100IR VS-12FR100IR-ND VS12FR100 VS12FR100IR-ND |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis, Stud Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | VS-12FR100 |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Standard 1000V (1kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 12mA @ 1000V |
| ลักษณะ: | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.26V @ 38A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 1000V (1kV) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VS-12FR100
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย