VOMA617A-3X001T พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VOMA617A-3X001T เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VOMA617A-3X001T ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VOMA617A-3X001T ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VOMA617A-3X001T
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VOMA617A-3X001T
- ผู้ผลิต:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- ลักษณะ:
- SINGLE CHANNEL, 80V, SOP-4 PHOTO
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29250 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VOMA617A-3X001T.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | 80V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 3750Vrms |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | 1.33V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด): | 400mV |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type): | 4.9µs, 3.3µs |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 4-SOP |
| ชุด: | VOMA617A |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 2.3µs, 3.2µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, Gull Wing |
| ประเภทขาออก: | Transistor |
| ชื่ออื่น: | VOMA617A-3X001T-ND VOMA617A-3X001TTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 110°C |
| จำนวนช่อง: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | DC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด): | 100% @ 5mA |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด): | 200% @ 5mA |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | 50mA |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด): | 20mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VOMA617A-3X001T
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด