VNV35NV04 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VNV35NV04 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VNV35NV04 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VNV35NV04 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VNV35NV04
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VNV35NV04
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
- ลักษณะ:
- MOSFET POWER 40V 30A PWRSO10
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56478 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VNV35NV04.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | Not Required |
| แรงดันไฟฟ้า - โหลด: | 36V (Max) |
| ประเภทสวิทช์: | General Purpose |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 10-PowerSO |
| ชุด: | OMNIFET II™, VIPower™ |
| Rds On (Typ): | 10 mOhm (Max) |
| อัตราส่วน - การป้อนข้อมูล: เอาท์พุท: | 1:1 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| ประเภทขาออก: | N-Channel |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Low Side |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| จำนวนขาออก: | 1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | On/Off |
| ประเภทขาเข้า: | Non-Inverting |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| การป้องกันความผิดพลาด: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | 30A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 35NV04 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VNV35NV04
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC