VNQ7004SYTR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VNQ7004SYTR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VNQ7004SYTR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VNQ7004SYTR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VNQ7004SYTR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VNQ7004SYTR
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
- ลักษณะ:
- QUAD-CHANNEL HIGH-SIDE DRIVER WI
- ปริมาณสต็อค:
- 43321 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VNQ7004SYTR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 4 V ~ 28 V |
| แรงดันไฟฟ้า - โหลด: | - |
| ประเภทสวิทช์: | Latched Driver |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerSSO-36 |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100, VIPOWER™ |
| Rds On (Typ): | 9 mOhm, 35 mOhm |
| อัตราส่วน - การป้อนข้อมูล: เอาท์พุท: | 4:4 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 36-PowerFSOP (0.295", 7.50mm Width) |
| ประเภทขาออก: | N-Channel |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | High Side |
| ชื่ออื่น: | 497-18125-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| จำนวนขาออก: | 4 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| อินเตอร์เฟซ: | SPI |
| ประเภทขาเข้า: | CMOS |
| คุณลักษณะเด่น: | Auto Restart, Status Flag |
| การป้องกันความผิดพลาด: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | 9A, 20A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VNQ7004SYTR
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร