VLS201612HBX-4R7M-1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VLS201612HBX-4R7M-1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VLS201612HBX-4R7M-1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VLS201612HBX-4R7M-1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VLS201612HBX-4R7M-1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VLS201612HBX-4R7M-1
- ผู้ผลิต:
- TDK Corporation
- ลักษณะ:
- FIXED IND 4.7UH 1.2A 312 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56607 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VLS201612HBX-4R7M-1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 0806 (2016 Metric) |
| การใช้: | Shielded |
| ชนิด: | Wirewound |
| ขนาด / มิติ: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| ชุด: | VLS-HBX-1 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | 0806 (2016 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 445-173014-2 VLS201612HBX-4R7M-1-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | VLS201612HBX-4R7M-1 |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.047" (1.20mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 4.7µH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | - |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 312 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 312 mOhm Max 0806 (2016 Metric) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| เส้นผ่าศูนย์กลาง - ไหล่: | - |
| ลักษณะ: | FIXED IND 4.7UH 1.2A 312 MOHM |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 1MHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 1.1A |
| พิกัดกระแส: | 1.2A |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Metal |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VLS201612HBX-4R7M-1
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025