VJ2225A821JBGAT4X พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VJ2225A821JBGAT4X เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VJ2225A821JBGAT4X ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VJ2225A821JBGAT4X ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VJ2225A821JBGAT4X
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VJ2225A821JBGAT4X
- ผู้ผลิต:
- Vishay / Vitramon
- ลักษณะ:
- CAP CER 820PF 1KV NP0 2225
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 52866 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VJ2225A821JBGAT4X.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 1000V (1kV) |
| ความอดทน: | 820pF |
| ความหนา (สูงสุด): | C0G, NP0 |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.226" L x 0.250" W (5.74mm x 6.35mm) |
| ชุด: | VJ OMD |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | Boardflex Sensitive |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | 2225 (5763 Metric) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount, MLCC |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | VJ2225A821JBGAT4X |
| สไตล์ตะกั่ว: | 0.086" (2.18mm) |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| คุณลักษณะเด่น: | Soft Termination, High Voltage |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | 820pF ±5% 1000V (1kV) Ceramic Capacitor C0G, NP0 2225 (5763 Metric) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| ลักษณะ: | CAP CER 820PF 1KV NP0 2225 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VJ2225A821JBGAT4X
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS