VJ1206Y331KXPAT5Z พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VJ1206Y331KXPAT5Z เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VJ1206Y331KXPAT5Z ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VJ1206Y331KXPAT5Z ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VJ1206Y331KXPAT5Z
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VJ1206Y331KXPAT5Z
- ผู้ผลิต:
- Vishay / Vitramon
- ลักษณะ:
- CAP CER 330PF 250V X7R 1206
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 23465 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VJ1206Y331KXPAT5Z.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 250V |
| ความอดทน: | 330pF |
| ความหนา (สูงสุด): | X7R |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| ชุด: | VJ HVArc Guard™ |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | General Purpose |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | 1206 (3216 Metric) |
| ชื่ออื่น: | VJ1206Y331KXPAT5Z-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount, MLCC |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | VJ1206Y331KXPAT5Z |
| สไตล์ตะกั่ว: | 0.067" (1.70mm) |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| คุณลักษณะเด่น: | High Voltage |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | 330pF ±10% 250V Ceramic Capacitor X7R 1206 (3216 Metric) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±10% |
| ลักษณะ: | CAP CER 330PF 250V X7R 1206 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VJ1206Y331KXPAT5Z
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร