VI-BWZ-MW-F4 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VI-BWZ-MW-F4 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VI-BWZ-MW-F4 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VI-BWZ-MW-F4 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VI-BWZ-MW-F4
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VI-BWZ-MW-F4
- ผู้ผลิต:
- Vicor
- ลักษณะ:
- CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45887 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VI-BWZ-MW-F4.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 40W |
| แรงดันไฟฟ้า - ออก 4: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ออกที่ 3: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ออก 2: | 2V |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 36V |
| แรงดันไฟฟ้า - ออกกลางคัน (ทั่วไป): | 18V |
| ชนิด: | Isolated Module |
| ขนาด / มิติ: | 4.60" L x 1.86" W x 1.05" H (116.8mm x 47.2mm x 26.7mm) |
| ชุด: | VI-200 |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | ITE (Commercial) |
| โพลาไรซ์: | Full Brick |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | 1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | VI-BWZ-MW-F4 |
| การควบคุมสาย: | 90% |
| คุณลักษณะเด่น: | OCP, OTP, OVP, SCP |
| คุณสมบัติ Pins: | 20A |
| ขยายคำอธิบาย: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 2V 20A 18V - 36V Input |
| ลักษณะ: | CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W |
| ปัจจุบัน - Breakover: | 3kV (3000V) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VI-BWZ-MW-F4
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS