VG2520CAN 61.440000M-CJGNBB พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ VG2520CAN 61.440000M-CJGNBB เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ VG2520CAN 61.440000M-CJGNBB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VG2520CAN 61.440000M-CJGNBB ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
VG2520CAN 61.440000M-CJGNBB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VG2520CAN 61.440000M-CJGNBB
- ผู้ผลิต:
- Epson
- ลักษณะ:
- OSC VCXO 61.44MHZ CMOS SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 53386 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- VG2520CAN 61.440000M-CJGNBB.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3.3V |
| ชนิด: | VCXO |
| ขนาด / มิติ: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| ชุด: | VG2520CAN |
| สถานะ RoHS: | RoHS Compliant |
| ความนิยม: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, No Lead |
| เอาท์พุต: | CMOS |
| ชื่ออื่น: | VG2520CAN 61.440000M-CJGNBB-ND VG2520CAN61.440000M-CJGNBB |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.032" (0.80mm) |
| ฟังก์ชัน: | - |
| ความเสถียรของความถี่: | ±50ppm |
| ความถี่: | 61.44MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 61.44MHz VCXO CMOS Oscillator 3.3V 4-SMD, No Lead |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 15mA |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (ปิดใช้งาน) (สูงสุด): | - |
| ตัวสร้างเสียงฐาน: | Crystal |
| ช่วงดึงสัมบูรณ์ (APR): | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VG2520CAN 61.440000M-CJGNBB
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย