V23105A5306A201 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ V23105A5306A201 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ V23105A5306A201 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ V23105A5306A201 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
V23105A5306A201
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- V23105A5306A201
- ผู้ผลิต:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- ลักษณะ:
- RELAY TELECOM DPDT 3A 9V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 32971 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.V23105A5306A201.pdf2.V23105A5306A201.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 6.3 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | 0.45 VDC |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | PC Pin |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 250VAC, 220VDC - Max |
| ชุด: | V23105, AXICOM |
| เวลาปล่อย: | 4ms |
| ประเภท Relay: | Telecom |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| ชื่ออื่น: | 1393793-2 PB2170 V23105A5306A201-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| เวลาทำงาน: | 6ms |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Telecom Relay DPDT (2 Form C) 9VDC Coil Through Hole |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 3A |
| วัสดุของ: | Silver Nickel (AgNi) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | DPDT (2 Form C) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 9VDC |
| ประเภทคอยล์: | Non Latching |
| ความต้านทานของคอยล์: | 405 Ohms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 200 mW |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 22.2mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ V23105A5306A201
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร