UMZ-558-A16-G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ UMZ-558-A16-G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ UMZ-558-A16-G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ UMZ-558-A16-G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
UMZ-558-A16-G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- UMZ-558-A16-G
- ผู้ผลิต:
- RFMD
- ลักษณะ:
- VCO 1487.5MHZ 2.5-12V 0.5X0.5"
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 44835 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- UMZ-558-A16-G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 4.7V |
| การปรับแต่งแรงดัน (VDC): | 2.5V ~ 12V |
| ขนาด / มิติ: | 0.500" L x 0.500" W (12.70mm x 12.70mm) |
| ชุด: | UMZ |
| ผลักดัน (MHz / V): | 75 |
| เพาเวอร์ (dBm): | 2 |
| เฟสเสียงรบกวน Typ (dBc / Hz): | -100 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-QFN, Variant |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ICC แม็กซ์: | 24mA (Typ) |
| ความสูง: | 0.220" (5.60mm) |
| ช่วงความถี่: | 1200MHz ~ 1775MHz |
| ความถี่ - ศูนย์: | 1487.5MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1487.5MHz Center Frequency 2.5V ~ 12V Voltage Controlled Oscillator 2 dBm -20 2nd Harmonic, Typ (dBc) |
| 2 ฮาร์โมนิ Typ (dBc): | -20 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ UMZ-558-A16-G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
UMZ-402-D16-G | RFMD | VCO 1380MHZ 0.5-9.5V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-853-D16-G | RFMD | VCO 3124MHZ 0.5-4.5V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-822-D16-G | RFMD | VCO 4950MHZ 0.2-8V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-607-D16-G | RFMD | VCO 3850MHZ 2-15V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-627-A16-G | RFMD | VCO 2450MHZ 0-3V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-400-D16-G | RFMD | VCO 1350MHZ 1.5-16V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-353-A16-G | RFMD | VCO 4520MHZ 1.5-11V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-411-D16-G | RFMD | VCO 3090MHZ 0.5-4.5V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-841-D16-G | RFMD | VCO 2625MHZ 2-10V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-843-R16-G | RFMD | VCO 1805MHZ 0.5-4.5V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-641-D14-G | RFMD | VCO 1690.5MHZ 2-15V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-307-A16-G | RFMD | VCO 3837.5MHZ 0.5-4.5V 0.5X0.5" | การสอบสวน |
|
UMZ-602-D16-G | RFMD | VCO 1050MHZ 1-12V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-348-A16-G | RFMD | VCO 2050MHZ 0.5-4.5V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-666-A16-G | RFMD | VCO 1842.5MHZ 0.5-4V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-671-A16-G | RFMD | VCO 3445MHZ 1-12V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-484-A16-G | RFMD | VCO 2700MHZ 1-12V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-350-A16-G | RFMD | VCO 2150MHZ 0.5-4.5V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-345-A16-G | RFMD | VCO 1350MHZ 1-16V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
|
UMZ-351-A16-G | RFMD | VCO 2250MHZ 0.5-4.5V 12.7X12.7MM | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย