UMR0J221MDD พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ UMR0J221MDD เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ UMR0J221MDD ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ UMR0J221MDD ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
UMR0J221MDD
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- UMR0J221MDD
- ผู้ผลิต:
- Nichicon
- ลักษณะ:
- CAP ALUM 220UF 20% 6.3V THRUHOLE
- ปริมาณสต็อค:
- 23456 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.UMR0J221MDD.pdf2.UMR0J221MDD.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 6.3V |
| ความอดทน: | ±20% |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| ชุด: | UMR |
| คลื่นกระแสไฟตก @ ความถี่ต่ำ: | 110mA @ 120Hz |
| กระแส Ripple @ ความถี่สูง: | 165mA @ 10kHz |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Polar |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial, Can |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 25 Weeks |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 2000 Hrs @ 85°C |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 0.098" (2.50mm) |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.236" (6.00mm) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 220µF 6.3V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C |
| ปริมาตร: | 220µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ UMR0J221MDD
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
UMR1C101MDD | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 16V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR1A470MDD1TE | Nichicon | CAP ALUM 47UF 20% 10V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR0J221MDD1TE | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 6.3V THRUHOLE | การสอบสวน |
|
UMR0J101MDD1TE | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 6.3V THRUHOLE | การสอบสวน |
|
UMR1C101MDD1TE | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 16V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR1A101MDD1TE | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 10V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR1A470MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 47UF 20% 10V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR1A101MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 10V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR0J101MDD | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 6.3V THRUHOLE | การสอบสวน |
|
UMR0J220MCD2TP | Nichicon | CAP ALUM 22UF 20% 6.3V THRU HOLE | การสอบสวน |
 |
UMR11NTR | LAPIS Semiconductor | DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 | การสอบสวน |
|
UMR12NTN | LAPIS Semiconductor | DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 | การสอบสวน |
|
UMR1A470MDD | Nichicon | CAP ALUM 47UF 20% 10V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR1C101MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 16V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR1C100MCD2 | Nichicon | CAP ALUM 10UF 20% 16V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR1C100MCD2TP | Nichicon | CAP ALUM 10UF 20% 16V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR1A101MDD | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 10V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR0J101MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 6.3V THRUHOLE | การสอบสวน |
|
UMR0J220MCD2 | Nichicon | CAP ALUM 22UF 20% 6.3V THRU HOLE | การสอบสวน |
|
UMR0J221MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 6.3V THRUHOLE | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง