UA30EAD35PGTI พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ UA30EAD35PGTI เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ UA30EAD35PGTI ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ UA30EAD35PGTI ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
UA30EAD35PGTI
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- UA30EAD35PGTI
- ผู้ผลิต:
- Carlo Gavazzi
- ลักษณะ:
- UPROX DR M30 4-20MA+PNP CBL
- ปริมาณสต็อค:
- 44789 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- UA30EAD35PGTI.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 12 V ~ 30 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Cable |
| การป้องกัน: | Unshielded |
| ชุด: | UA30 |
| ประเภทเซนเซอร์: | Ultrasonic |
| ระยะทางที่ไกล: | 13.78" ~ 137.795" (350mm ~ 3500mm) |
| การตอบสนองความถี่: | 2Hz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Cylinder, Threaded - M30 |
| ประเภทขาออก: | Analog Current, PNP |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 70°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | Not Applicable |
| วัสดุ - ร่างกาย: | Stainless Steel |
| ป้องกันน้ำและฝุ่น: | IP67 |
| ตัวบ่งชี้: | LED |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Ultrasonic Proximity Sensor 13.78" ~ 137.795" (350mm ~ 3500mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ UA30EAD35PGTI
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น