TSE2002GB2A1NRG8 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TSE2002GB2A1NRG8 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TSE2002GB2A1NRG8 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TSE2002GB2A1NRG8 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TSE2002GB2A1NRG8
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TSE2002GB2A1NRG8
- ลักษณะ:
- IC TEMP SENS EEPROM DFN-8
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59011 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.TSE2002GB2A1NRG8.pdf2.TSE2002GB2A1NRG8.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.3 V ~ 3.6 V |
| โทโพโลยี: | ADC, Register Bank |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-VFQFPN (2x3) |
| ชุด: | - |
| ประเภทเซนเซอร์: | Internal |
| การตรวจวัดอุณหภูมิ: | -20°C ~ 125°C |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-VFDFN Exposed Pad |
| ประเภทขาออก: | I²C/SMBus |
| พัดลมเอาท์พุท: | No |
| เอาท์พุท: | No |
| ชื่ออื่น: | IDTTSE2002GB2A1NRG8 IDTTSE2002GB2A1NRG8-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ฟังก์ชัน: | Temp Monitoring System (Sensor) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Temp Monitoring System (Sensor) -20°C ~ 125°C Internal Sensor I²C/SMBus Output 8-VFQFPN (2x3) |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | IDTTSE2002 |
| ความถูกต้อง: | ±2°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TSE2002GB2A1NRG8
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU