TPS51604QDSGRQ1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TPS51604QDSGRQ1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TPS51604QDSGRQ1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TPS51604QDSGRQ1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TPS51604QDSGRQ1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TPS51604QDSGRQ1
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC MOSFET DRIVER SYNC 8WSON
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 30324 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TPS51604QDSGRQ1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-WSON (2x2) |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 30ns, 8ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | 296-40770-1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| ความถี่ขาเข้า: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 35 Weeks |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH: | 0.6V, 2.65V |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Non-Inverting |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน): | 35V |
| ประเภทประตู: | N-Channel MOSFET |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน: | Half-Bridge |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-WSON (2x2) |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink): | - |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด): | Synchronous |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TPS51604QDSGRQ1
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU