TPS2300IPWG4 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TPS2300IPWG4 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TPS2300IPWG4 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TPS2300IPWG4 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TPS2300IPWG4
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TPS2300IPWG4
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC DUAL HOTSWAP PWR CONT 20TSSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48536 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TPS2300IPWG4.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3 V ~ 13 V, 3 V ~ 5.5 V |
| ชนิด: | Hot Swap Controller |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 20-TSSOP |
| ชุด: | - |
| คุณสมบัติที่สามารถตั้งโปรแกรมได้: | Circuit Breaker, Fault Timeout, Slew Rate |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนช่อง: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 28 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| สวิทช์ภายใน (s): | No |
| คุณลักษณะเด่น: | Latched Fault, UVLO |
| คุณสมบัติ Pins: | DISCH1, DISCH2, /ENABLE, /FAULT, ISET1, ISET2, PWRGD1, PWRGD2, TIMER, VREG |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Hot Swap Controller 2 Channel General Purpose 20-TSSOP |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 5µA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | - |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | TPS2300 |
| การประยุกต์ใช้งาน: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TPS2300IPWG4
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด