TM4C129ENCZADI3R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TM4C129ENCZADI3R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TM4C129ENCZADI3R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TM4C129ENCZADI3R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TM4C129ENCZADI3R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TM4C129ENCZADI3R
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC MCU 32BIT 1MB FLASH 212NFBGA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 46470 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TM4C129ENCZADI3R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 2.97 V ~ 3.63 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 212-NFBGA (10x10) |
| ความเร็ว: | 120MHz |
| ชุด: | Tiva™ C |
| RAM ขนาด: | 256K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | FLASH |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 1MB (1M x 8) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | Brown-out Detect/Reset, DMA, Motion Control PWM, POR, PWM, WDT |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 212-VFBGA |
| ประเภท oscillator: | Internal |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 140 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ขนาด EEPROM: | 6K x 8 |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | ARM® Cortex®-M4F Tiva™ C Microcontroller IC 32-Bit 120MHz 1MB (1M x 8) FLASH 212-NFBGA (10x10) |
| แปลงข้อมูล: | A/D 24x12b |
| ขนาดหลัก: | 32-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | ARM® Cortex®-M4F |
| การเชื่อมต่อ: | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, IrDA, QEI, SPI, SSI, UART/USART, USB OTG |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TM4C129ENCZADI3R
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด