TLV2376IDR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TLV2376IDR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TLV2376IDR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TLV2376IDR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TLV2376IDR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TLV2376IDR
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- OP AMP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 36930 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TLV2376IDR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | - |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท: | 0.3pA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 8-SOIC |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทขาออก: | Rail-to-Rail |
| ชื่ออื่น: | 296-45053-2 TLV2376IDR-ND |
| ปฐมนิเทศ: | 2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนบิต / ขั้นตอน: | 40µV |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| แม็กซ์กระแสไฟขาออกช่อง X @ โหลด: | General Purpose |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | TLV2376IDR |
| ขยายคำอธิบาย: | General Purpose Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC |
| ลักษณะ: | OP AMP |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (หลัก IC): | 2.2 V ~ 5.5 V, ±1.1 V ~ 2.75 V |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 815µA |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล: | 5.5MHz |
| ช่องสัญญาณต่อ IC: | 30mA |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 2 V/µs |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TLV2376IDR
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย