TLP293-4(V4GBTPE พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TLP293-4(V4GBTPE เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TLP293-4(V4GBTPE ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TLP293-4(V4GBTPE ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TLP293-4(V4GBTPE
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TLP293-4(V4GBTPE
- ลักษณะ:
- OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 40471 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TLP293-4(V4GBTPE.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 16-SO |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด): | 3µs, 3µs |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type): | 600% @ 5mA |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) |
| ประเภทขาออก: | Transistor |
| ชื่ออื่น: | TLP293-4(V4GBTPE(T TLP293-4(V4GBTPETR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| จำนวนช่อง: | 4 |
| เสียงรบกวน - 0.1Hz ถึง 10Hz: | 80V |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | TLP293-4(V4GBTPE |
| ประเภทชุด: | 300mV |
| ประเภทขาเข้า: | DC |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน): | 2µs, 3µs |
| ขยายคำอธิบาย: | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 4 Channel 16-SO |
| ลักษณะ: | OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด): | 50mA |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด): | 100% @ 5mA |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด): | 1.25V |
| ปัจจุบัน - Breakover: | 3750Vrms |
| ช่องสัญญาณต่อ IC: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TLP293-4(V4GBTPE
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร