TLC3704CDR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TLC3704CDR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TLC3704CDR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TLC3704CDR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TLC3704CDR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TLC3704CDR
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC MICROPWR COMP QUAD 14-SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 35378 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TLC3704CDR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - เกี่ยวกับสถานะ: | 4 |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 14-SOIC |
| ชนิด: | General Purpose |
| ชุด: | LinCMOS™ |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ล่าช้าในการกระจาย (สูงสุด): | 84dB CMRR |
| โพลาไรซ์: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทขาออก: | CMOS, Push-Pull, TTL |
| ชื่ออื่น: | 296-31964-2 TLC3704CDR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | TLC3704CDR |
| ประเภทตรรกะ: | - |
| hysteresis: | 4.5µs |
| ขยายคำอธิบาย: | Comparator General Purpose CMOS, Push-Pull, TTL 14-SOIC |
| ลักษณะ: | IC MICROPWR COMP QUAD 14-SOIC |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (หลัก IC): | 3 V ~ 16 V |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด): | 20mA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (ประเภท): | 5pA @ 5V |
| ปัจจุบัน - อินพุตอคติ (สูงสุด): | 5mV @ 10V |
| CMRR, PSRR (ประเภท): | 100µA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TLC3704CDR
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น