TC7SZ05FU,LJ(CT พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ TC7SZ05FU,LJ(CT เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ TC7SZ05FU,LJ(CT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TC7SZ05FU,LJ(CT ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
TC7SZ05FU,LJ(CT
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TC7SZ05FU,LJ(CT
- ลักษณะ:
- IC INVERTER OD 1CH 1-INP USV
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 21031 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TC7SZ05FU,LJ(CT.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.8 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | USV |
| ชุด: | TC7SZ |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| ชื่ออื่น: | TC7SZ05FU (T5L,JF,T TC7SZ05FU(T5L,F,T) TC7SZ05FU(T5L,JF,T TC7SZ05FU(T5LJFTTR TC7SZ05FU(T5LJFTTR-ND TC7SZ05FU(TE85L,F) TC7SZ05FU(TE85L,JF TC7SZ05FU(TE85LF)TR TC7SZ05FU(TE85LF)TR-ND TC7SZ05FU(TE85LJFTR TC7SZ05FU(TE85LJFTR-ND TC7SZ05FU,LJ(CB TC7SZ05FULJ(CT TC7SZ05FULJ(CT-ND TC7SZ05FULJ(CTTR TC7SZ05FUT5LJFT TC7SZ05FUT5LJFTTR TC7SZ05FUT5LJFTTR-ND TC7SZ05FUTFTR TC7SZ05FUTFTR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนปัจจัยการผลิต: | 1 |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| แม็กซ์ล่าช้าในการกระจาย @ V แม็กซ์ CL: | 4.3ns @ 5V, 50pF |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| ประเภทตรรกะ: | Inverter |
| ระดับตรรกะ - ต่ำ: | - |
| ระดับตรรกะ - สูง: | - |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Open Drain |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Inverter IC 1 Channel Open Drain USV |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด): | 2µA |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | -, 32mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 7SZ05 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TC7SZ05FU,LJ(CT
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC